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加快追赶三星、美光!长江存储计划今年把产量提高一倍,国产替代进程持续推进

加快追赶三星、美光!长江存储计划今年把产量提高一倍,国产替代进程持续推进
2021-01-12 15:00:33 来源:科创板日报

原标题:加快追赶三星、美光!长江存储欲扩产一倍 国产替代进程持续推进

据媒体报道,长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆,并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片,最快将于2021年中试产,不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。

市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片,而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。

作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。据长江存储介绍,128层QLC版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

2020年三季度以来,长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片,但将逐步将更多产能转向后者。

据透露,长江存储最快将于2021年中展开192层3D NAND快闪晶片试产,将是中国半导体业者首次试产这类晶片。如三星、美光等市场一流供应商,目前仍在开发176层3D NAND晶片,而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

半导体行业掀产能扩张+国产替代潮

2018年-2020年,长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进,在市场份额高度集中的存储芯片市场,国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。具体表现在,长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中,尚存在较大的产能空间,在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩。

中信证券1月7日发布研报称,长江存储、华虹集团、中芯国际、长鑫存储等晶圆厂积极扩产,驱动国内半导体设备市场增速两倍于全球,行业产能紧张下扩产进度有望加快。其中,长江存储一期项目于2019年产能达到2万片/月,2020年扩产至5万片/月以上水平,预计一期项目未来将达到10万片/月产能,另外二期土建已于2020年6月开工,两期产能规划共30万片/月。

据中信证券整理的长江存储2018年至2020年三年间的约2500台设备招标情况,日本、美国厂商仍占据主导地位,但国内厂商占比逐年上升。2019年长江存储1088台设备招标中,中国厂商设备占比9.65%,而2020年长江存储1107台设备招标中,中国厂商设备占比达到14.36%,呈现上升趋势。北方华创、中微公司、盛美股份分别累计中标97台/45台/25台,位于国产厂商前列。

由此,中信证券表示,产能扩张+国产替代积极推进,看好2021年半导体设备行业发展。展望2021年,包括长江存储、长鑫存储等IDM厂、华虹无锡、华力集成、中芯国际等晶圆代工厂均有持续产能扩增计划,在当前行业产能紧张背景下,包括晶圆制造、封装测试设备订单均有望爆发。另一方面,中芯国际事件进一步激发国内厂商危机意识,国产新机台的验证工作有望积极推进,利好国内设备厂商。

(责任编辑:韦玉春)
关键词:提高一倍

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